第一章 单元测试
1、判断题:
电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于3V
A:错
B:对
正确答案:【对】
2、判断题:
电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于0V
A:错
B:对
正确答案:【对】
3、单选题:
电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于( )V
A:0
B:1
C:3
D:2
正确答案:【0】
4、单选题:
电路如图所示,二极管VD1、VD2用恒压降模型,正向导通电压均为0.7V,假如输入端uA=3V,uB=0V,求uy=( )V
A:2.4
B:2.1
C:2.3
D:2.2
正确答案:【2.3】
5、单选题:电路如图所示,二极管VD1、VD2用恒压降模型,正向导通电压均为0.7V,假如输入端uA=3V,uB=3V,求uy=( )V
A:2.3
B:2
C:0
D:2.1
正确答案:【2.3】
第二章 单元测试
1、单选题:共集电极放大电路的电压放大倍数接近于( )
A:3
B:4
C:1
D:2
正确答案:【1】
2、判断题:
共集电极放大电路的输入电阻比较高
A:错
B:对
正确答案:【对】
3、判断题:共集电极放大电路的输出电阻比较低
A:错
B:对
正确答案:【对】
4、判断题:共基极电路的频率响应好,常用作宽带或高频放大电路
A:对
B:错
正确答案:【对】
5、判断题:直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大,而且便于电路集成化
A:对
B:错
正确答案:【对】
6、判断题:不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态,都满足IC=BIB,这种说法正确吗
A:错
B:对
正确答案:【错】
7、判断题:若要求管子的反向电流小,工作温度高,则应选锗管
A:对
B:错
正确答案:【错】
8、判断题:
由于ICBO对温度非常敏感,当温度升高时,ICBO增高很快,所以ICEO增加得也很快,IC也就相应增加
A:对
B:错
正确答案:【对】
9、判断题:Ul=-2V,U2=-5V,U3=-2.3V,锗管。3脚为B极,1脚为E极,2脚为C极
A:错
B:对
正确答案:【对】
10、判断题:Ul=8V,U2=2V,U3=2.7V,为硅管。3脚为B极,2脚为E极,1脚为C极
A:对
B:错
正确答案:【对】
第三章 单元测试
1、单选题:N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内 。
A:为正
B:为负
C:可正可负
正确答案:【可正可负】
2、判断题:N沟道结型场效应管正常工作,应在其栅源之间加正向电压
A:对
B:错
正确答案:【错】
3、判断题:结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置,因此,其输入电阻很高。
A:对
B:错
正确答案:【对】
4、判断题:跨导gm与静态工作点Q点的位置有关系,Q点越高,gm越小
A:错
B:对
正确答案:【错】
5、判断题:输入加在栅极和源极间的输入回路,输出加在漏极和源极间的输出回路,这为共源极放大电路。
A:错
B:对
正确答案:【对】
6、判断题:如图所示的放大电路中,已知VDD=30V,R1=30 ,R2=200 ,Rd=15 ,Rs=1 ,Rg=20 ,负载电阻RL=1 ,场效应管在Q点处的跨导gm=1.5mS。
A:对
B:错
正确答案:【对】
7、判断题:
求输出电阻表达式为
A:错
B:对
正确答案:【对】
8、判断题:在图所示的放大电路中,已知V DD=30V,R 1=30 ,R 2=200 ,R d=15 ,R s=1 ,R g=20 ,负载电阻R L=1 ,场效应管在Q点处的跨导gm=1.5mS计算电压放大倍数为
A:对
B:错
正确答案:【对】
9、判断题:
求静态工作点的步骤为是否正确?
A:对
B:错
正确答案:【对】
10、判断题:N沟道结型场效应管正常工作,当uGS负向增大时,沟道电阻增大,iD将减小
A:错
B:对
正确答案:【错】
第四章 单元测试
1、单选题:两级放大电路的上限频率分别为f1 =100kHz,f2 =500kHz,则放大电路总的上限频率应为( )kHz。
A:400
B:200
C:300
D:100
正确答案:【100】
2、单选题:如两级放大电路下限频率f1=20Hz,f2=120Hz,则放大电路总的下限频率应为( )Hz
A:110
B:130
C:120
D:140
正确答案:【120】
3、判断题:两级放大电路由两个具有相同频率特性的单管放大电路组成,下限频率f=100Hz,则总下限频率为156Hz.
A:对
B:错
正确答案:【对】
4、判断题:直接耦合电路下限频率f=1Hz
A:对
B:错
正确答案:【错】
5、单选题:某放大电路的电压放大倍数为20dB,则该电路的电压放大倍数为( )
A:10
B:8
C:5
D:15
正确答案:【10】
6、判断题:如图所示,试写出电压放大倍数表达式
A:对
B:错
正确答案:【对】
7、判断题:下限频率为
A:对
B:错
正确答案:【对】
8、判断题: 相位差=1800
A:错
B:对
正确答案:【错】
9、判断题:根据波特图写电压放大倍数
A:对
B:错
正确答案:【对】
10、判断题:下限频率下限频率表达式为Ri=Rb
A:错
B:对
正确答案:【错】
第五章 单元测试
1、判断题:同型号的三极管可以复合而不同型号的三极管很难复合
A:对
B:错
正确答案:【错】
2、判断题:复合管准互补对称电路中靠近负载的两个输出管的型号是相同的,目的是这样使用使得电路更容易对称。
A:错
B:对
正确答案:【对】
3、判断题:功率放大电路按输出端与负载的耦合方式的不同,分为变压器耦合方式、无输出变压器(OTL)方式和无输出电容(OCL)方式
A:错
B:对
正确答案:【对】
4、判断题:乙类互补对称功率放大电路的能量转换效率最高是78.5%。
A:错
B:对
正确答案:【对】
5、判断题:饱和失真、截止失真和交越失真都属于非线性失真。
A:错
B:对
正确答案:【对】
6、单选题:
A:17.5
B:19
C:16.5
D:18.5
正确答案:【17.5】
7、判断题:
A:对
B:错
正确答案:【对】
8、判断题:
计算是否正确?
A:错
B:对
正确答案:【对】
9、单选题:电路如图所示,VCC=20V
静态时,负载 中的电流应该是多少______A ?
A:1
B:2
C:3
D:0
正确答案:【0】
10、判断题:若输出电压波形出现交越失真,应该调整R2
A:错
B:对
正确答案:【对】
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