2024知到网课 无机材料科学基础（陕西理工大学）智慧树答案

第一章 单元测试

1、多选题：按材料的化学组成（或基本组成）分类，可以分为（）。
A:高分子材料
B:金属材料
C:无机非金属材料
D:复合材料
正确答案:【高分子材料;
金属材料;
无机非金属材料;
复合材料】

2、多选题：按材料尺寸及形态分类，可以分为（）。
A:二维（薄膜）材料
B:零维（纳米）材料
C:一维（纤维）材料
D:三维（块体）材料
正确答案:【二维（薄膜）材料;
零维（纳米）材料;
一维（纤维）材料;
三维（块体）材料】

3、多选题：主要用于各种现代工业及尖端科学技术领域的高性能特种陶瓷包括（）。
A:结构陶瓷
B:复合材料
C:功能陶瓷
D:日用陶瓷
正确答案:【结构陶瓷;
功能陶瓷】

4、多选题：半导体材料按结构可分为（）。
A:多晶态
B:非晶态
C:准晶态
D:单晶态
正确答案:【多晶态;
非晶态;
单晶态】

5、多选题：多孔材料共同持点是（）。
A:孔隙率高
B:密度小
C:比表面积大
D:对气体有选择性透过作用
正确答案:【孔隙率高;
密度小;
比表面积大;
对气体有选择性透过作用】

第二章 单元测试

1、单选题：依据等径球体的堆积原理得出，六方密堆积的堆积系数（）立方密堆积的堆积系数。
A:等于
B:大于
C:不确定
D:小于
正确答案:【等于】

2、单选题：某AX型晶体，A+的电荷数为1，A-B键的S=1/6，则A+的配位数为（）。
A:4
B:12
C:8
D:6
正确答案:【6】

3、单选题：在ABO3（钙钛矿）型结构中，B离子占有（）。
A:立方体空隙
B:三方柱空隙晶体
C:四面体空隙
D:八面体空隙
正确答案:【八面体空隙】

4、单选题：能够发生自发极化效应的物质包括（）。
A:刚玉
B:钛酸钡
C:钛酸钙
D:金红石
正确答案:【钛酸钡】

5、单选题：构成硅酸盐晶体的基本结构单元为[SiO4]，两个相邻的[SiO4]之间可以通过哪种方式相互连接（）。
A:共顶、共面共棱
B:共顶
C:共棱
D:共面
正确答案:【共顶】

第三章 单元测试

1、多选题：对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（）。
A:间隙正离子
B:正离子空位
C:负离子空位
D:间隙负离子
正确答案:【间隙正离子;
负离子空位】

2、单选题：固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但发生点阵畸变，性能变化。所形成的固溶体包括有限固溶体和无限固溶体两种类型，其中（）。
A:结构相同不是形成固溶体的条件
B:结构相同是无限固溶的充要条件
C:结构相同是有限固溶的必要条件
D:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件
正确答案:【结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件】

3、多选题：按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。
A:热缺陷
B:非化学计量缺陷
C:电荷缺陷
D:杂质缺陷
正确答案:【热缺陷;
非化学计量缺陷;
电荷缺陷;
杂质缺陷】

4、单选题：位错的滑移是指位错在何种力的作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变（）。
A:化学力
B:热应力
C:外力
D:结构应力
正确答案:【外力】

5、单选题：热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottky defect）时，（）。
A:正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
B:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
C:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小
D:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
正确答案:【正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加】

第四章 单元测试

1、单选题：硅酸盐玻璃的结构是以硅氧四面体为结构单元形成的（）的聚集体。
A:近程无序，远程有序
B:近程有序，远程有序。
C:近程无序，远程无序
D:近程有序，远程无序
正确答案:【近程有序，远程无序】

2、单选题：在硅酸盐熔体中，当R=O/Si减小时，相应熔体组成和性质发生变化，熔体析晶能力（）。
A:不变
B:不确定
C:增大
D:减小
正确答案:【减小】

3、单选题：可以根据3T曲线求出熔体的临界冷却速率。熔体的临界冷却速率越小，就（）形成玻璃。
A:缓慢
B:越容易
C:越难
D:越快
正确答案:【越容易】

4、单选题：当O/Si比趋近于4时，Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三种熔体的粘度大小次序为（）。
A:K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2
B:Na2O-SiO2＜ Li2O-SiO2＜K2O-SiO2
C:Li2O-SiO2＜K2O-SiO2＜Na2O-SiO2
D:Li2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜K2O-SiO2
正确答案:【K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2】

5、单选题：Si:O趋近于1/2时硅酸盐晶体的结构类型为（）。
A:层状
B:架状
C:岛状
D:链状
正确答案:【架状】

6、单选题：过冷度越大，相应的成核位垒越小，临界晶核半径越小，析晶能力（）。
A:不变
B:越小
C:0
D:越大
正确答案:【不变】

7、单选题：过冷度愈大，临界晶核半径越小，相应地相变（）。
A:越小
B:不受影响
C:越大
D:愈易进行
正确答案:【愈易进行】

8、单选题：在硅酸盐熔体中，当R＝O/Si减小时，相应熔体组成和性质的变化是：非桥氧百分数（），熔体粘度增大，熔体析晶倾向减小。
A:增大
B:不变
C:0
D:减小
正确答案:【减小】

第五章 单元测试

1、多选题：为提高陶瓷坯釉的附着力，应降低（）。
A:

B:

C:

D:

正确答案:【
;

】