绪论 单元测试

1、判断题:

《电子线路基础》课程属于电子信息类相关本科专业重要的专业课,内容以介绍数字电子电路相关知识为主。

A:错
B:对
正确答案:【错】

2、判断题:

《电子线路基础》课程具有工程性、基础性和实践性的特点。

A:错
B:对
正确答案:【对】

第一章 单元测试

1、单选题:若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子,试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中,硅原子密度为4.96×1022cm-3。(   )
A:

B:
C:
D:
正确答案:【

2、单选题:已知锗PN结的反向饱和电流为10-8。当外加电压为0.2V、0.36V及0.4V时,求室温下流过PN结的电流为多少? (   )
A:10.3mA、48mA、21.91μA
B:48mA、21.91μA、10.3mA
C:21.91μA、10.3mA、48mA

D:10.3mA、21.91μA、48mA
正确答案:【21.91μA、10.3mA、48mA

3、单选题:设二极管为理想的,试判断下图电路中,二极管是否导通,并求出值。 ( )

A:截止,
B:截止,

C:导通,
D:导通,
正确答案:【导通,

4、单选题:如图所示电路, 已知二极管参数,试求通过二极管的电流。(   )

A:(13.16+0.15sinωt)mA
B:(6.84+0.37sinωt)mA
C:(13.16+0.37sinωt)mA
D:(6.84+0.15sinωt)mA

正确答案:【(13.16+0.37sinωt)mA】

5、单选题:图(a)为三输入二极管或门电路,电源电压为-10V,二极管,图(b)为输入波形,试画出输出波形图。(   )

A:
B:

C:
D:
正确答案:【

第二章 单元测试

1、单选题:在NPN型晶体三极管中,发射结正偏,集电结反偏。已知 忽略不计。试求温室时 和 值。 (   )
A:15.62mA,15.33mA,340μA
B:14.23mA,14.20mA,270mA

C:16.45mA,16.30mA,460μA
D:15.48mA,15.17mA,310μA
正确答案:【15.48mA,15.17mA,310μA】

2、单选题:已知某晶体三极管在室温(27℃)下的,当温度升高至 60℃ 时,试求。 (   )
A:9.75×10-8A

B:9.45×10-8A
C:9.85×10-8A
D:9.66×10-8A
正确答案:【9.85×10-8A】

3、单选题:已知晶体三极管静态工作点电流 ,求其参数 。(   )
A:99.21 mS,1012Ω

B:96.25 mS,1039Ω
C:95.23 mS,1040Ω
D:98.62 mS,1023Ω
正确答案:【96.25 mS,1039Ω】

4、单选题:如图所示电路图中,已知。试求 。(   )
A:0.32mA,16mA
B:0.34mA,17mA
C:0.36mA,18mA
D:0.38mA,20mA

正确答案:【0.34mA,17mA】

5、单选题:在图(a)所示电路中,三只二极管参数相同,示于图(b),晶体三极管参数为:导通电压。若A、B、C三端口电压分别为5V、4V、3 V,求端口D的电压值。 (   )


A:4V
B:3.5V
C:2.5V

D:3V
正确答案:【4V】

第三章 单元测试

1、单选题:试判断下图(a)(b)所示管子工作在什么区。(   )

A:非饱和区、非饱和区

B:饱和区、饱和区
C:饱和区、非饱和区
D:非饱和区、饱和区
正确答案:【饱和区、非饱和区】

2、单选题:如图所示曲线为某场效应管的输出特性曲线,它是哪一种类型的场效应管? (   )

A:P沟道耗尽型
B:N沟道耗尽型

C:N沟道增强型
D:P沟道增强型
正确答案:【P沟道耗尽型】

3、单选题:已知 , 求ID。(   )

图3-3
A:2.0mA
B:1.5mA
C:1.0mA
D:0.5mA
正确答案:【1.0mA】

4、单选题:一个N沟道EMOSFET组成的电路如图3-4所示,要求场效应管工作于饱和区,, 已知管子参数为,设,设计合理的电阻RS和RD的值。(   )

A:
B:
C:

D:
正确答案:【

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