第一章 单元测试
1、判断题：电子线路是由电子器件和电子元件组成的具有一定功能的电路。
A:错
B:对
正确答案:【对】
2、判断题：电子器件又称无源器件，如电阻、电容、电感等.
A:对
B:错
正确答案:【错】
3、判断题：第一代电子器件为晶体管，晶体管出现后，拉开了人类社会步入信息时代的序幕。
A:对
B:错
正确答案:【错】
4、判断题：电子器件是电子线路的核心，电子技术的发展很大程度上反映在电子器件的发展上。
A:对
B:错
正确答案:【对】
5、判断题：电子器件发展的第三代是集成电路，具有外接元件少、可靠性高、性能稳定的特点
A:错
B:对
正确答案:【对】
6、判断题：模拟电路和数字电路处理的信号特性是相同的，只是处理信号的幅度有差别。
A:对
B:错
正确答案:【错】
7、判断题：计算机能够直接接收和处理的信号一般为模拟信号
A:对
B:错
正确答案:【错】
8、判断题：数字信号一般指时间和数值上都连续的信号
A:对
B:错
正确答案:【错】
9、判断题：含有计算机的电子信息系统一般属于模拟和数字的混合系统
A:对
B:错
正确答案:【对】
10、单选题：下列信号不属于模拟信号的是( )
A:灯的亮灭状态
B:4~20mA的电流信号
C:20Hz~20kHz的音频信号
D:0~5V的电压信号
正确答案:【灯的亮灭状态】
第二章 单元测试
1、判断题：在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地
A:对
B:错
正确答案:【错】
2、判断题：凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系
A:错
B:对
正确答案:【对】
3、判断题：集成运放在开环情况下一定工作在非线性区
A:错
B:对
正确答案:【对】
4、单选题：理想运算放大器的两个重要结论是
A:虚地与反相
B:虚短与虚地
C:虚短与虚断
D:短路和断路
正确答案:【虚短与虚断】
5、单选题：集成运放的线性和非线性应用电路都存在
A:虚短
B:虚短与虚断
C:虚地
D:虚断
正确答案:【虚断】
6、多选题：如图所示电路中，若电阻Rf虚焊，则电路的输出电压为
A:
＋UOM
B:
–UOM
C:
无穷大
D:
0
正确答案:【
＋UOM
;
–UOM
】
7、单选题：反相输入积分电路中的电容接在电路的
A:同相端与输出端之间
B:同相输入端
C:反相端与输出端之间
D:反相输入端
正确答案:【反相端与输出端之间】
8、单选题：电路如图所示，若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ， Vi=1V，则VO=
A:
2V
B:
-1V
C:
-2V
D:
1V
正确答案:【
2V
】
9、单选题：集成运放能处理
A:交流信号
B:直流信号
C:正弦信号
D:交流和直流信号
正确答案:【交流和直流信号】
10、单选题：理想运算放大器的输出电阻Ro为
A:零
B:无穷大
C:不确定
D:有限值
正确答案:【零】
第三章 单元测试
1、单选题：设稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和9V，正向压降为0.7V，则图3.2电路中的输出电压VO为
A:6.7V
B:3V
C:9.7V
D:15V
正确答案:【6.7V】
2、单选题：用万用表的电阻档测量二极管，当 时说明二极管的单向导电性好
A:正向电阻大反向电阻小
B:正向电阻反向电阻都大
C:正向电阻反向电阻都小
D:正向电阻小反向电阻大
正确答案:【正向电阻小反向电阻大】
3、单选题：如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管
A:电流为0
B:电流过大而使管子烧坏
C:正常导通
D:击穿
正确答案:【电流过大而使管子烧坏】
4、判断题：二极管稳压电路一般是由稳压二极管（反向接法）和负载并联而得到。
A:错
B:对
正确答案:【对】
5、判断题：当二极管的外加反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加（反向击穿），所以二极管不能工作在反向击穿区
A:错
B:对
正确答案:【错】
6、判断题：P型半导体带正电，N型半导体带负电
A:错
B:对
正确答案:【错】
7、单选题：当温度升高时，二极管反向饱和电流将
A:
先增大再减小
B:
减小
C:
增大
D:不变
正确答案:【
增大
】
8、单选题：半导体二极管的重要特性之一是
A:单向导电性
B:滤波作用
C:放大作用
D:温度稳定性
正确答案:【放大作用】
9、单选题：二极管电路如图3.1所示，则二极管导通情况为
A:
都导通
B:
D2导通，D1截止
C:
D1导通，D2截止
D:
都截止
正确答案:【
D2导通，D1截止
】
10、单选题：稳压管的稳压区是其工作在
A:反向截止区
B:饱和区
C:正向导通区
D:反向击穿区
正确答案:【反向击穿区】
第四章 单元测试
1、单选题：场效应管的漏极电流是由 的漂移运动形成的。
A:多子
B:两种载流子
C:少子
正确答案:【少子】
2、单选题：场效应管是一种 控制型的电子器件。
A:光
B:电压
C:电流
正确答案:【电压】
3、单选题：场效应管是利用外加电压产生的 来控制漏极电流的大小的。
A:电压
B:电流
C:电场
正确答案:【电场】
4、单选题：当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为3mA时，它的低频跨导将： A:增大
B:减小
C:不变
正确答案:【增大】
5、多选题：当栅源电压VGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有： A:耗尽型MOS管
B:增强型MOS管
C:结型管
正确答案:【耗尽型MOS管;结型管】
6、单选题：广义地说，结型场效应管应该： A:属于耗尽型管
B:不属于增强型管
C:属于增强型管
D:不属于耗尽型管
正确答案:【属于耗尽型管】
7、单选题：图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是：
A:
N沟道增强型MOS管
B:
P沟道增强型MOS管
C:
N沟道耗尽型MOS管
D:
P沟道耗尽型MOS管
正确答案:【
P沟道增强型MOS管
】
8、单选题：某场效应管的特性曲线如图所示，该管为：
A:
N沟道耗尽型MOS管
B:
P沟道结型场效应管
C:
N沟道增强型MOS管
D:
P沟道增强型MOS管
正确答案:【
N沟道耗尽型MOS管
】
9、单选题：图示场效应管放大电路的组态是:
A:
共漏
B:
共栅
C:
共源
D:
差动放大
正确答案:【
如有任何疑问请及时联系QQ 50895809反馈
