第一章 单元测试
1、单选题：
如图所示电路是哪种半导体的电路模型。（）
A:P型半导体
B:杂质半导体
C:N型半导体
D:本征半导体
正确答案:【P型半导体】
2、单选题：当温度降低时，二极管的反向饱和电流将（ ）。
A:增大
B:无法确定
C:减小
D:不变
正确答案:【减小】
3、单选题：当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（ ）。
A:不变
B:无法确定
C:增大
D:减小
正确答案:【增大】
4、单选题：
一场效应管的符号如下所示，它是（ ）。
A:P沟道增强型
B:P沟道耗尽型
C:N沟道耗尽型
D:N沟道增强型
正确答案:【N沟道耗尽型】
5、多选题：时，能够工作在恒流区的场效应管有（ ）。
A:N沟道增强型MOS管
B:结型场效应管
C:P沟道增强型MOS管
D:N沟道耗尽型MOS管
正确答案:【结型场效应管;N沟道耗尽型MOS管】
6、判断题：在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为N型半导体。
A:对
B:错
正确答案:【对】
7、判断题：本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。（ ）
A:对
B:错
正确答案:【对】
8、判断题：PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
9、判断题：因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（）
A:对
B:错
正确答案:【错】
10、单选题：三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）。
A:发射结正偏，集电结也正偏
B:发射结反偏，集电结也反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
正确答案:【发射结正偏，集电结反偏】
第二章 单元测试
1、判断题：在放大电路中，输出电流和输出电压都是由有源元件提供的。
A:对
B:错
正确答案:【错】
2、判断题：由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
A:对
B:错
正确答案:【错】
3、判断题：在分析放大电路时，应遵循“先动态，后静态”的原则；
A:对
B:错
正确答案:【错】
4、判断题：放大电路的输出电阻与负载无关。
A:对
B:错
正确答案:【对】
5、单选题：下列哪种电路只放大电压不放大电流。（）
A:两级共射
B:共射
C:共基
D:共集
正确答案:【共基】
6、单选题：为使场效应管放大电路能够正常放大，场效应管应该工作在（）
A:放大区
B:截止区
C:饱和区
D:恒流区
正确答案:【恒流区】
7、单选题：
计算如下电路的电压放大倍数（ ）
A:200
B:125
C:-125
D:-200
正确答案:【-200】
8、多选题：对放大电路的最基本的要求是（ ）
A:不失真
B:输入电阻大
C:输出电阻小
D:能够放大
正确答案:【不失真
;能够放大】
9、多选题：典型的静态工作点稳定电路Ｑ点稳定的原因是（ ）
A:电源ＶＣＣ的取值；
B:Re的直流负反馈的作用；
C:UBQ在温度变化时基本不变。
D:旁路电容的影响；
正确答案:【Re的直流负反馈的作用；;UBQ在温度变化时基本不变。】
10、多选题：共集放大电路的特点有哪些（ ）
A:输出电阻小；
B:带负载能力强；
C:从信号源索取的电流小。
D:输入电阻大；
正确答案:【输出电阻小；;带负载能力强；;从信号源索取的电流小。;输入电阻大；】
第三章 单元测试
1、单选题：差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（ ）。
A:算数平均值
B:和
C:差
D:几何平均值
正确答案:【差】
2、单选题：共模信号是两个输入端信号的（ ）。
A:差
B:几何平均值
C:算数平均值
D:和
正确答案:【算数平均值】
3、单选题：用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的（ ）。
A:差模放大倍数数值减小
B:差模放大倍数数值增大
C:差模输入电阻增大
D:抑制共模信号能力增强
正确答案:【抑制共模信号能力增强】
4、单选题：集成远放的输出级一般采用采用（ ）。
A:共射互补输出电路
B:共基电路
C:共射电路
正确答案:【共射互补输出电路
】
5、多选题：直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ）。
A:电源电压不稳定
B:晶体管参数受温度影响
C:元件老化
D:放大倍数不够稳定
正确答案:【电源电压不稳定;晶体管参数受温度影响;元件老化】
6、判断题：多级放大电路级数越多放大性能越好。（ ）
A:错
B:对
正确答案:【错】
7、判断题：集成放大电路均采用直接耦合方式。（ ）
A:对
B:错
正确答案:【对】
8、判断题：变压器耦合放大电路的优点是可以实现阻抗匹配。（ ）
A:错
B:对
正确答案:【对】
9、判断题：集成运放的输入级采用差分放大电路的主要原因是它可以很好地抑制零点漂移现象。
A:对
B:错
正确答案:【对】
10、判断题：三极管电流源的组成就是共射基本放大电路的直流通路去掉集电极电阻Rc后剩余的电路（ ）。
A:错
B:对
正确答案:【对】
第四章 单元测试
1、判断题：对于低通电路，频率愈高，衰减愈大，相移不变。
A:错
B:对
正确答案:【错】
2、判断题：在分析放大电路的频率响应时，在中频段极间电容可视为短路。
A:对
B:错
正确答案:【错】
3、判断题：单管共射放大电路在低频段电压放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。
A:错
B:对
正确答案:【对】
4、判断题：两级放大电路的通频带比组成它的单级放大电路的通频带宽。
A:错
B:对
正确答案:【错】
5、单选题：当信号的频率等于放大电路的高端截止频率是fH时，电路的放大倍数约为中频放大倍数的（ ）倍
A:0.5
B:0.7
C:0.9
D:0.3
正确答案:【0.7】
6、单选题：已知某电路的幅频特性如图所示，则该电路是由几级放大电路组成（ ）。
A:三级
B:一级
C:四级
D:两级
正确答案:【三级】
7、单选题：已知某放大电路的波特图如图所示，则该电路的中频电压增益20lg|Aum|=（ ）。
A:40
B:100
C:60
D:1000
正确答案:【60】
8、单选题：已知某电路的电压放大倍数为，则该电路的fl=（ ）。
A:100
B:100000
C:-10
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