第一章 单元测试
1、判断题：fcc可以看成是原子在密排面（111）面在空间的堆垛。
A:错
B:对
正确答案:【对】
2、单选题：已知Al为正三价，阿伏加德诺常数为6.02×1023，铝摩尔量为26.98，质量1g的Al中的价电子数量为（ )。
A:6.69×10∧21
B:6.69×10∧23
C:6.69×10∧22
D:6.02×10∧22
正确答案:【6.69×10∧22】
3、单选题：聚乙烯高分子材料中，C-H化学键结合属于（ ）。
A:离子键
B:氢键
C:金属键
D:共价键
正确答案:【共价键】
4、单选题：化学键中，没有方向性也没有饱和性的为（ ）。
A:离子键
B:共价键
C:氢键
D:金属键
正确答案:【金属键】
5、单选题：晶体的对称轴不存在（ ）对称轴。
A:六次
B:四次
C:五次
D:三次
正确答案:【五次】
6、判断题：晶面族是指一系列平面的晶面。
A:错
B:对
正确答案:【错】
7、多选题：一个晶胞内原子个数、配位数对于fcc是（ ），bcc是（ ）。
A:2,8
B:4,8
C:4,12
D:2,12
正确答案:【2,8;4,12】
8、多选题：bcc晶胞的密排面是（ ），密排方向分别是（ ）。
A:<111>
B:{111}
C:{110}
D:<110>
正确答案:【<111>;{110}】
9、单选题：
A:8.58
B:7.78
C:8.98
D:8.28
正确答案:【8.98】
10、单选题：晶带是与过某个晶向或与其平行的所有晶面，这个晶向称为晶带轴。若晶带轴指数为［uvw］，则［uvw］与晶带中的一个晶面（hkl）这两个指数之间点积，［uvw］·（hkl）等于（ ）。
A:0
B:1
C:0.5
D:-1
正确答案:【0】
11、单选题：一个fcc晶胞的原子中的原子个数为（ ）个。
A:6
B:4
C:2
D:8
正确答案:【4】
12、单选题：一个bcc晶胞中的原子个数为（ ）个。
A:6
B:4
C:8
D:2
正确答案:【2】
13、判断题：铜和镍属于异质同构。
A:对
B:错
正确答案:【对】
14、判断题：间隙固溶体中间隙原子可以无限固溶得到固溶度为100%的无限固溶体。
A:错
B:对
正确答案:【错】
15、判断题：一个金属元素与一个非金属元素容易形成固溶体。
A:对
B:错
正确答案:【错】
16、判断题：碳原子只能与铁原子形成化合物。
A:错
B:对
正确答案:【错】
17、判断题：由于在bcc的铁中致密度比fcc的铁的低，也就是间隙体积多，所以碳原子在bcc铁中固溶度比在fcc铁中固溶度大。
A:对
B:错
正确答案:【错】
18、判断题：铜与镍可以形成无限固溶体。
A:错
B:对
正确答案:【对】
19、单选题：在A-B二元固溶体中，A-B对的能量小于A-A和B-B对的平均能量，该固溶体最容易形成（ ）。
A:无序固溶体
B:偏聚态固溶体
C:有序固溶体
D:不确定
正确答案:【有序固溶体】
第二章 单元测试
1、判断题：材料的熔点越高，空位的形成能和迁移能也越大。
A:错
B:对
正确答案:【对】
2、多选题：（ ）可以产生过饱和空位。
A:塑性变形
B:退火处理
C:核辐照
D:淬火
正确答案:【塑性变形;核辐照;淬火】
3、判断题：相同条件下，高熔点金属形成的空位数量比低熔点金属形成的空位数量少。
A:错
B:对
正确答案:【对】
4、单选题：在一定温度下具有一定平衡浓度的缺陷是（ ）。
A:位错
B:空位
C:晶面
D:晶界
正确答案:【空位】
5、单选题：在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这种缺陷称为（ ）。
A:肖特基缺陷
B:点缺陷
C:线缺陷
D:弗伦科尔缺陷
正确答案:【弗伦科尔缺陷】
6、判断题：位错数量很大，所以材料中原子排列是无序的。
A:对
B:错
正确答案:【错】
7、单选题：fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
A:混合位错
B:螺型位错
C:不确定
D:刃型位错
正确答案:【混合位错】
8、判断题：fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2；此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。
A:错
B:对
正确答案:【对】
9、单选题：两个平行同号螺型位错，其相互作用力（ ）。
A:为零
B:不确定
C:相吸
D:相斥
正确答案:【相斥】
10、单选题：能易于进行交滑移的位错是（ ）。
A:混合位错
B:不确定
C:螺型位错
D:刃型位错
正确答案:【螺型位错】
11、单选题：不能发生攀移运动的位错是（ ）。
A:弗兰克不全位错
B:不确定
C:肖克莱不全位错
D:刃型全位错
正确答案:【肖克莱不全位错】
12、单选题：（ ），位错滑移的派－纳力越小。
A:相邻位错的距离越大
B:位错宽度越大
C:相邻位错的距离越小
D:滑移方向上的原子间距越大
正确答案:【位错宽度越大】
13、判断题：多个相邻的同号刃型位错，由于应力场相互作用，通常会倾向于垂直排列。
A:对
B:错
正确答案:【对】
14、判断题：平行刃型位错之间既有正应力作用，又有切应力作用。
A:对
B:错
正确答案:【对】
15、判断题：两个平行刃型位错之间切应力作用大小和方向与这两个位错之间的相对位置有关。
A:错
B:对
正确答案:【对】
16、判断题：位错与空位之间可以相互形成和转化。
A:对
B:错
正确答案:【对】
17、判断题：如果有两根位错线，位错线L1，柏氏矢量b1，位错线L2，柏氏矢量b2。当b1垂直L2时，L1对L2交截作用产生的位错线段大小等于b1。
A:对
B:错
正确答案:【对】
18、判断题：F-R位错源是材料中唯一的位错来源。
A:错
B:对
正确答案:【错】
19、单选题：在体心立方晶体结构中，柏氏矢量为a［100］的位错（ ）分解为a[111]/2+a[1-1-1]/2。
A:不确定
B:能
C:有可能
D:不能
正确答案:【不能】
20、单选题：fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
A:都对
B:都不对
C:不可以
D:可以
正确答案:【不可以】
21、单选题：在fcc晶体中（111）密排面抽取一层将形成（ ）。
A:混合位错
B:弗兰克不全位错
C:刃型位错
D:肖克莱不全位错
正确答案:【弗兰克不全位错】
22、判断题：小角度晶界是由位错组成的。
A:错
B:对
正确答案:【对】
23、判断题：大角度晶界上原子排列与晶内原子排列一样，是很规整的。
A:错
B:对
正确答案:【错】
24、判断题：大角度晶界具有晶界能，使得晶界的边总有平直化的趋势。
A:错
B:对
正确答案:【对】
25、判断题：Cu-Sn合金中由于Cu、Sn原子大小造成的Sn原子在合金中的偏析是平衡偏析。
A:对
B:错
正确答案:【对】
26、判断题：非共格相界结构与大角度晶界相似。
A:对
B:错
正确答案:【对】
27、判断题：晶界对位错的运动有阻碍作用，晶界的增加能使金属材料的室温强度增加。
A:对
B:错
正确答案:【对】
28、判断题：表面就是晶内体相的终止。
A:错
B:对
正确答案:【错】
29、判断题：合金实际表面的成分与晶内的成分是一致的。
A:对
B:错
正确答案:【错】
30、判断题：平衡状态下，金属中可以存在四个晶粒相邻的四叉晶界。
A:错
B:对
正确答案:【错】
第三章 单元测试
1、判断题：纯金属结晶过程中存在成分过冷引起的过冷。
A:对
B:错
正确答案:【错】
2、单选题：凝固时形核阶段，只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心。当形成的核胚半径等于临界尺寸时，体系的自由能变化（ ）。
A:等于零
B:无法判断
C:小于零
D:大于零
正确答案:【大于零】
3、单选题：形成临界晶核时的体积自由能的减少只能补偿由于形核而新增加的表面自由能的（ ）。
A:1/2
B:3/4
C:2/3
D:1/3
正确答案:【2/3】
4、单选题：液态金属的微观结构与（ ）更接近。
A:气体金属
B:液晶
C:等离子体
D:固态金属
正确答案:【固态金属】
5、单选题：纯金属中存在（ ）。
A:结构起伏
B:能量起伏和结构起伏
C:成分起伏
D:能量起伏
正确答案:【能量起伏和结构起伏】
6、单选题：过冷度越大，临界晶核尺寸（ ）。
A:与过冷度无关
B:越大
C:越小
D:不变
正确答案:【越小】
7、单选题：藉由螺型位错生长时的晶核长大速度（ ）。
A:比二维形核机制的慢
B:比连续长大机制的快
C:螺型位错的存在不影响晶核长大速度
D:比二维形核机制的快，但比连续形核机制的慢
正确答案:【比二维形核机制的快，但比连续形核机制的慢】
8、单选题：铸锭凝固时绝大部分结晶潜热是通过液相散失时，结晶得到的固态显微组织为（ ）。
A:等轴晶
B:细小等轴晶
C:柱状晶
D:树枝晶
正确答案:【树枝晶】
9、单选题：金属晶体结晶时，晶核生长速率与动态过冷度成正比，则（ ）。
A:该晶核藉由孪晶界长大
B:该晶核与液相的界面为粗糙界面
C:该晶核与液相的界面为光滑界面
D:该晶核藉由螺型位错长大
正确答案:【该晶核与液相的界面为粗糙界面】
10、单选题：非均匀形核所需要的过冷度是合金结晶温度Tm的（ ）。
A:0.002倍
B:0.2倍
C:2倍
D:0.02倍
正确答案:【0.02倍】
11、判断题：正温度梯度时离开结晶界面越远，液相温度越高。
A:对
B:错
正确答案:【对】
12、单选题：一般实际金属结晶过程是（ ）。
A:非均匀形核
B:都有可能
C:均匀形核
D:以均匀形核开始，以非均匀形核结束
正确答案:【非均匀形核】
13、单选题：在金属、陶瓷和高分子中，最容易形成晶体结构的是（ ）。
A:它们的混合物
B:陶瓷
C:金属
D:高分子
正确答案:【金属】
14、判断题：纯金属冷却过程中需要过冷，在加热熔化过程中需要过热。
A:错
B:对
正确答案:【错】
15、判断题：实际生产条件下往往是正温度梯度条件。
A:错
B:对
正确答案:【对】
第四章 单元测试
1、判断题：金属材料系统中，可以不考虑压强对体系的影响。
A:错
B:对
正确答案:【对】
2、判断题：二元合金相图中，横坐标通常是表示这个二元合金的重量百分数或原子百分数变化，纵坐标是温度的变化。
A:对
B:错
正确答案:【对】
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