第一章 单元测试
1、单选题：比较碱金属元素Li、Na、K、Rb、Cs的费密能大小（）
A:无法比较
B:Li=Na=K=Rb=Cs
C:Li＞Na＞K＞Rb＞Cs
D:Li＜Na＜K＜Rb＜Cs
正确答案:【Li＞Na＞K＞Rb＞Cs
】
2、单选题：对于二维正方格子，第一布里渊区角上π/a(1,1)的自由电子动能是区边中心点π/a(1,0)的几倍（）
A:1/2
B:2
C:4
D:1
正确答案:【2】
3、单选题：霍尔系数只与金属中的（）有关。
A:自由电子密度
B:费密分布函数
C:费密能级
D:费密温度
正确答案:【自由电子密度】
4、单选题：量子自由电子学说认为自由电子的行为服从（）
A:Bose-Einstein统计规律
B:无规律
C:Fermi-Dirac统计规律
D:Maxwell-Boltzmann统计规律
正确答案:【Fermi-Dirac统计规律
】
5、单选题：费密能EF表示T＞0K时电子占有几率为（）的能级能量
A:1/2
B:1
C:1/4
D:0
正确答案:【1/2
】
6、单选题：下图中二维正方格子的第二布里渊区的形状为（）
A:
B:圆形
C:
D:
正确答案:【】
7、单选题：三维晶体的布里渊区的界面构成一多面体，下图中为体心立方晶格第一布里渊区的为（）
A:
B:
C:
D:圆球
正确答案:【】
8、单选题：计算能量为54eV电子的德布罗意波长以及它的波数（）
A:2.36×10-10m，5.32×1010m-1
B:1.67×10-10m，3.76×1010m-
C:1.14×10-10m，2.66×1010m-1
D:3.34×10-10m，7.52×1010m-1
正确答案:【1.67×10-10m，3.76×1010m-
】
9、单选题：如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（）
A:-1.099kT，1.099kT
B:1.099kT，1.099kT
C:-1.099kT，-1.099kT
D:1.099kT，-1.099kT
正确答案:【1.099kT，-1.099kT
】
10、单选题：Cu的密度8.92g/cm3，原子量为63.55，计算Cu的EF0（）
A:14eV
B:7eV
C:3.5 eV
D:1.8 eV
正确答案:【7eV】
11、单选题：Na的密度1.013g/cm3，原子量为22.99，计算Na在0K时自由电子的平均能量（）
A:3.25eV
B:1.95eV
C:6.5eV
D:3.9eV
正确答案:【1.95eV】
12、单选题：体心立方格子的倒格子是面心立方，倒格矢的长度(基矢的长度)为（）
A:π/a
B:2π/a
C:2
π/a
D:2
π/a
正确答案:【2π/a】
13、单选题：以四价原子、二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为（）
A:
B:
C:
D:
正确答案:【
】
14、单选题：下图属于四价原子二维正方格子的近自由电子费密面的是（）
A:
B:
C:
D:
正确答案:【
】
第二章 单元测试
1、单选题：已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm，固有振动频率为1012Hz，晶格势能垒为0.5 eV，求300K时的离子迁移率为（）。
A:1.24×10-10 cm2/s·V
B:6.19×10-11 cm2/s·V
C:9.14×10-10cm2/s·V
D:4.57×10-10 cm2/s·V
正确答案:【6.19×10-11 cm2/s·V】
2、单选题：已知NaCl的A1=5.0×107 s·m-1，W1=169 kJ/mol，A2=50 s·m-1，W2=82kJ/mol；计算在300 K时的电导率。（）
A:2×10-12 s·m-1
B:1.48×10-21 s·m-1
C:1.98×10-22 s·m-1
D:2.7×10-13s·m-1
正确答案:【2.7×10-13s·m-1
】
3、单选题：硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV，等效状态密度 N= 8.8×1018/cm3,计算300 K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。（k=8.6×10-5 eV/K）（）
A:2×1014/cm3
B:1.65×1014/cm3
C:1×1014/cm3
D:3.3×1014/cm3
正确答案:【1×1014/cm3】
4、单选题：单晶硅半导体的禁带宽度为1.10 eV，等效状态密度 N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。
A:1.34×109/cm3
B:6.7×108/cm3
C:2.2×109/cm3
D:1.1×109/cm3
正确答案:【6.7×108/cm3】
5、单选题：n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0 eV。（）
A:2.37×1019/cm3 , 0.56eV
B:1.44×1019/cm3 , 0.44eV
C:1.44×1019/cm3 , 0.56eV
D:2.37×1019/cm3 , 0.44eV
正确答案:【1.44×1019/cm3 , 0.56eV
】
6、单选题：已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5´1010 cm-3，试求掺磷浓度为1.5´1013 cm-3，掺硼浓度为1.0´1013 cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置（Ec-EF）。已知此时硅中杂质原子已全部电离，硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8´1019cm-3和1.1´1019cm-3。( )
A:n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.404eV
B:n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.362eV
C:n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.362eV
D:n0=4.5´107cm-3, p0=5´1012cm-3, Ec-EF=0.404eV
正确答案:【n0=5´1012cm-3, p0=4.5´107cm-3, Ec-EF=0.404eV
】
7、单选题：透辉石CaMg[Si2O6]硅酸盐矿结构属何种结构类型？（）
A:架状
B:链状, 单链
C:组群状，双四面体
D:层状
正确答案:【链状, 单链】
8、单选题：方镁石（MgO）的密度是3.58g/cm3，其晶格常数是0.42nm，计算MgO中每个晶胞中肖特基缺陷的数目（MgO为立方晶系，1个MgO晶胞中有4个MgO分子，Mg原子量24.305，O原子量15.999）。（）
A:0.0082
B:0.02
C:0.1
D:0.04
正确答案:【0.04】
9、单选题：在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在25℃时热缺陷的浓度？ （）
A:1.41×10-5
B:2.21×10-24
C:1.72×10-4
D:1.33×10-31
正确答案:【2.21×10-24】
10、单选题：在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？ （）
A:1.33×10-31
B:2.21×10-24
C:1.72×10-4
D:1.41×10-5
正确答案:【1.72×10-4】
11、单选题：高温结构材料Al2O3可以用ZrO2来实现增韧，也可以用MgO来促进Al2O3的烧结，如加入0.2mol%ZrO2，固溶体分子式为：（）
A:Al1.998Zr0.002O3.001
B:Al1.997Zr0.002O3
C:Al1.997Zr0.003O3
D:Al1.998Zr0.002O3
正确答案:【Al1.998Zr0.002O3.001
】
12、单选题：TiO2等金属氧化物，在还原气体中焙烧时，还原气氛夺取了TiO2中的部分氧在晶格中产生氧空位。每个氧离子在离开晶格时要交出两个电子。这两个电子可将两个Ti4+还原成Ti3+，但三价Ti3+离子不稳定，会恢复四价放出两个电子，由于氧离子缺位，分子表达式为TiO2-x。此时电子浓度、氧空位浓度和氧分压的关系为：（）
A:
B:
C:
D:
正确答案:【
】
13、单选题：已知CaO的肖特基缺陷生成能为6ev，欲使Ca2+在CaO中的扩散直至CaO的熔点（2600℃）都是非本征扩散，要求三价杂质离子的浓度是多少？（）
A:1.1×10-5
B:5.5×10-6
C:6.18×10-11
D:3.09×10-11
正确答案:【1.1×10-5】
14、单选题：空位随温度升高而增加，在和之间，由于热膨胀bcc铁的晶格常数增加0.51%，而密度减少2.0%，假设在时，此金属中每1000个单位晶胞中有1个空位，试估计在时每1000个单位晶胞中有多少个空位？（bcc铁单位晶胞中有2个原子，假设晶格不变）（）
A:71
B:21
C:11
D:61
正确答案:【11】
15、单选题：在（773K）所做扩散实验指出，在金属1010个原子中有一个原子具有足够的激活能可以跳出其平衡位置而进入间隙位置，在时，此比例会增加到109，问：（1）此跳跃所需要的激活能？（2）在（973K）具有足够能量的原子所占的比例为多少？( )
A:① 2.14×10-17J/atom ② 6.2×10-9
B:① 2.14×10-19J/atom ② 8.2×10-9
C:① 2.14×10-17J/atom ② 8.2×10-9
D:① 2.14×10-19J/atom ② 6.2×10-9
正确答案:【① 2.14×10-19J/atom ② 6.2×10-9
】
16、单选题：设有一条内径为30mm的厚壁管道，被厚度为0.1mm的铁膜隔开，通过向管子一端向管内输入氮气，以保持膜片一侧氮气浓度为1200mol/m3，而另一侧的氮气浓度为100mol/m3。如在700℃下测得通过管道的氮气流量为2.8×10-4mol/s，求此时氮气在铁中的扩散系数。( )
A:4.4×10-4m2/s
B:3.6×10-12m2/s
C:4×10-11m2/s
D:1.1×10-7m2/s
正确答案:【3.6×10-12m2/s
】
17、单选题：根据下图中金属的相图以及电阻率与状态关系示意图，表示形成连续固溶体电阻率变化情况的是（）。
A:
B:
C:
D:
判断题
正确答案:【】
18、判断题：如果对某试样测得的霍尔系数RH为正值，则其电导载流子为电子。（）
A:错
B:对
正确答案:【错】
19、判断题：因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数大于金属。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
20、判断题：离子晶体中的离子电导常温下以本征电导为主，高温下以杂质电导为主。（）
A:对
B:错
正确答案:【错】
21、判断题：下列离子晶体：氟化钠、氯化钠、溴化钠、碘化钠中离子电导率的大小为
。 （）
A:对
B:错
正确答案:【错】
22、判断题：电子导电材料中温度对载流子迁移率的影响为：低温下杂质离子对电子的散射起主要作用，高温下声子对电子的散射起主要作用。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
23、判断题：金属的电导率随温度的升高而升高；无机非金属材料的电导率随温度的升高而降低。（）
A:错
B:对
正确答案:【错】
24、判断题：写出钛酸钡BaTiO3中掺入氧化镧（La2O3）的缺陷化学方程式为
，并判断其电导属性为n型半导体。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
25、判断题：比较下列几种玻璃的电导率的大小关系：纯石英玻璃、5.0%氧化钠玻璃、6.0%氧化钠玻璃、3.0%氧化钠和3.0%氧化钾玻璃、3.0%氧化钠和3.0%氧化钙玻璃、6.0%氧化钙玻璃
电流吸收现象发生在离子电导为主的陶瓷材料中，电子性电导体没有电流吸收现象，因为电子迁移率很高，无法形成空间电荷。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
26、判断题：当表面能级低于半导体的费米能级，即为受主表面能能级时，从半导体内部俘获电子而带负电，内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层。（）
A:对
B:错
正确答案:【对】
27、判断题：空间电荷层形成耗尽层，材料表面电导率降低。（）
A:对
B:错
正确答案:【对】
28、判断题：n-型半导体负电吸附，p-型半导体正电吸附，表面电导率增加。（）
A:对
B:错
正确答案:【错】
29、判断题：在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成正偏压。（）
A:错
B:对
正确答案:【错】
30、判断题：处于超导态的超导体是一抗磁体，此时超导体具有屏蔽磁场和排除磁通的功能。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
31、判断题：导体从正常态转变为超导态的温度是超导体的临界温度Tc。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
32、判断题：俘获了空穴的阳离子空位为F心。（）
A:错
B:对
正确答案:【错】
33、判断题：同一种晶体中电子的迁移率μe大于空穴的迁移率μh。（）
A:错
B:对
正确答案:【错】
34、判断题：金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体，金属原子过剩时形成p型半导体。（）
A:对
B:错
正确答案:【错】
35、判断题：在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
36、判断题：一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量，其电子迁移率大于空穴迁移率。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
37、判断题：II-VI族化合物ZnS半导体中的非金属原子空位起施主作用。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
38、判断题：化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄，如GaN＞GaP。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
39、判断题：GaN比GaAs的禁带宽度宽；这与N比As的电负性强有关。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
40、判断题：砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（）
A:对
B:错
正确答案:【对】
41、判断题：EF－EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
42、判断题：半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
43、判断题：如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV）？ （）
A:错
B:对
正确答案:【错】
44、判断题：在一种还原性气氛中加热的WO3晶体中，氧空位VO..和W(V)缺陷占优势。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
45、判断题：下述缺陷反应方程正确：
。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
46、判断题：ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.606g/cm3，这种情况下产生间隙型固溶体。（）
A:错
B:对
正确答案:【错】
47、判断题：晶体产生Frenkel缺陷时，晶体体积变大，晶体密度变小。（）
A:对
B:错
正确答案:【错】
48、判断题：在MgO中形成Schottky缺陷时，缺陷反应式为
。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
49、判断题：少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反应式为
。 （）
A:错
B:对
正确答案:【对】
50、判断题：
A:对
B:错
正确答案:【对】
51、判断题：氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h•+OO 。（）
A:对
B:错
正确答案:【对】
52、判断题：亚间隙机构与空位机构相比，造成的晶格变形大；与间隙机构相比，晶格变形小。AgBr晶体中的间隙Ag+的扩散，萤石型结构UO2+x晶体中间隙O2-的扩散属于亚间隙扩散机构。（）
A:对
B:错
正确答案:【对】
53、判断题：研究碱卤化合物的电导激活能发现，负离子半径增大，其正离子激活能显著降低，这样离子电导率便按NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI依次降低。（）
A:对
B:错
正确答案:【错】
54、判断题：阳离子电荷高低对活化能也有影响。一价阳离子尺寸小，电荷少，活化能低，电导率大；相反，高价正离子，价键强，激活能高，故迁移率就低，电导率也低。（）
A:对
B:错
正确答案:【对】
55、判断题：若把温度T 从超导转变温度下降,则超导体的临界磁场也随之增加。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
56、判断题：如果输入电流所产生的磁场与外加磁场之和超过超导体的临界磁场Bc 时, 则超导态被破坏。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
第三章 单元测试
1、单选题：一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4*10-6μF，损耗因子 tgδ为0.02。
求相对介电常数（）
A:3.39
B:3.28
C:4.51
D:3.00
正确答案:【3.39
】
2、单选题：CsBr晶体具有类似于CsCl晶体的晶体结构（每个CsBr晶胞中含有一对
离子），已知CsBr晶体的晶格常数为a=0.430nm，
离子和
离子的电子极化率分别为3.35×
和4.5×
，
离子对的平均离子极化率为5.8×
。求在低频下的介电常数是多少？( )
A:6.33
B:6.72
C:2.85
D:6.34
正确答案:【6.33
】
3、单选题：氧离子的半径为
，计算氧原子的电子位移极化率。按式
代入相应的数据进行计算。（）
A:
B:
C:
D:
正确答案:【
】
4、单选题：已知CO2 在T＝300K时，
，
，n = 1.000185，求其固有的偶极矩
。（）
A:
B:
C:
D:
正确答案:【
】
5、单选题：在某一种偶极子气体中，若每个偶极子的极化强度为1Debye，计算在室温下使此气体达到
取向极化饱和值时所需要的电场
。已知
，
，
。（）
A:
B:
C:
D:
正确答案:【
】
6、单选题：已知He原子（单原子气体）的极化率为
，计算在标准状态下，其介电常数
及折射率n。( )
A:
B:
C:
D:
正确答案:【
】
7、单选题：由介质的的徳拜方程
求
和
的频率关系式。( )
A:
B:
C:
D:
正确答案:【
】
8、单选题：在居里温度(120℃)以上，钛酸钡属于等轴晶系，晶格常数
，已知O2-离子半径为
.求两个O离子间的空隙。（）
A:
B:
C:
D:
正确答案:【
】
9、单选题：以下哪一项时用矩阵表示的钛酸钡晶体压电常数。（）
A:
B:
C:
D:
正确答案:【
】
10、单选题：钛酸钡晶体的独立的压电常数为哪三个？（）
A:d15、d31和d32
判断题：
B:d15、d31和d33
C:d15、d32和d33
D:d25、d31和d33
正确答案:【d15、d31和d33
】
11、判断题：结合电子位移极化率的公式判断，离子体积越大其电子位移极化率越大。（）
A:对
B:错
正确答案:【对】
12、判断题：电子很轻, 它们对电场的反应很快,可以以光频跟随外电场变化。（）
A:对
B:错
正确答案:【对】
13、判断题：离子位移极化和电子位移极化的表达式一样，都具有弹性偶极子的极化性质，由于离子质量远高于电子质量,因此极化建立的时间也较电子慢。（）
A:对
B:错
正确答案:【对】
14、判断题：频率很高时，无松弛极化，只存在电子和离子位移极化。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
15、判断题：由样品的电容充电所造成的电流，简称电容电流，引起的损耗称为电导损耗。（）
A:错
B:对
正确答案:【错】
16、判断题：在直流电下，介质损耗不仅与自由电荷的电导有关，还与松弛极化过程有关，所以它不仅决定于自由电荷电导，还与束缚电荷产生有关（与频率有关的量）。（）
A:对
B:错
正确答案:【错】
17、判断题：在温度很低的范围内,随温度上升,
减小,因而
均下降。（）
A:错
B:对
正确答案:【错】
18、判断题：当外加电场频率ω很低, 即ω→0,介质的各种极化机制都能跟上电场的变化, 此时不存在极化损耗,相对介电常数最大。( )
A:对
B:错
正确答案:【对】
19、判断题：矫顽场强和饱和场强随温度升高而降低。所以在一定条件下，极化温度较高,可以在较低的极化电压下达到同样的效果。( )
A:错
B:对
正确答案:【对】
20、判断题：一般材料,在高温、低频下,主要为电离损耗,在常温、高频下,主要为松驰极化损耗,在高频、低温下主要为结构损耗。（）
A:错
B:对
正确答案:【错】
21、判断题：一般在外电场用下(人工极化)，90°电畴转向比较充分，同时由于“转向”时结构畸变小，内应力小，因而这种转向比较稳定，而180°电畴的转向是不充分的。（）
A:错
B:对
正确答案:【错】
22、判断题：石英晶体有压电效应，但无自发极化，所以它是压电晶体，而不是铁电体。钛酸钡晶体具有自发极化，又有压电效应，所以钛酸钡晶体被称为铁电晶体。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
23、判断题：结晶各向异性随温度升高而降低，自发极化重新取向克服的应力阻抗较小;同时由于热运动，电畴运动能力加强，所以在极化电场和时间一定的条件下，极化温度高电畴取向排列较易，极化效果好。（）
A:对
B:错
正确答案:【对】
第四章 单元测试
1、单选题：下列说法中错误的是（）。
A:材料中的离子半径越大，折射率n越大。
B:散射光波长与入射光波长不同的散射称为联合散射（或拉曼散射）。
C:在材料中加入乳浊剂时，乳浊剂的折射率应当与基体的折射率接近。
D:入射光中漫透射的分数对于材料的半透明性起决定性作用。
正确答案:【在材料中加入乳浊剂时，乳浊剂的折射率应当与基体的折射率接近。
】
2、单选题：以下哪种材料的折射率最大？（）
A:PbO
B:SnS
C:PbS
D:SiCl4
正确答案:【PbS】
3、单选题：某种介质的吸收系数αa=0.32cm-1，透射光强为入射光强的10%时，该介质的厚度为（）cm。
A:0.329
B:7.20
C:3.29
D:10.2
正确答案:【7.20】
4、单选题：ZnS禁带宽度为3.6eV，ZnS中杂质形成的陷阱能级为导带下的1.38eV，试计算发光波长并确定发光类型。（）
A:560nm，荧光
B:672nm，荧光
C:672nm，磷光
D:560nm，磷光
正确答案:【560nm，磷光】
5、单选题：如图所示，穿过偏振片B的偏振光强度为I0，不计偏振片对光能量的吸收，透过检偏器N的出射光强为
，则偏振片B与N的夹角为（）
A:30°
B:45°
C:75°
D:60°
正确答案:【60°】
6、单选题：某种材料在空气中的布儒斯特角为58°，求该材料的折射率（空气的折射率约为1）。（）
A:1.12
B:2.54
C:1.60
D:2.08
正确答案:【1.60】
如有任何疑问请及时联系QQ 50895809反馈
