第一章 单元测试
1、判断题:P型半导体带正电,N型半导体带负电。
A:错
B:对
正确答案:【错】
2、判断题:PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
A:对
B:错
正确答案:【对】
3、判断题:由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。
A:对
B:错
正确答案:【错】
4、判断题:PN结外加反向电压,当电压绝对值增大时,空间电荷区变窄。
A:错
B:对
正确答案:【错】
5、判断题:纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体,掺入杂质后称杂质半导体。
A:错
B:对
正确答案:【对】
第二章 单元测试
1、判断题:二极管的伏安特性曲线既描述了二极管正向特性和反向特性,又描述了二极管的反向击穿特性。
A:对
B:错
正确答案:【对】
2、判断题:稳压二级管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态
A:错
B:对
正确答案:【对】
3、判断题:稳压二极管不允许工作在正向导通状态
A:错
B:对
正确答案:【错】
4、判断题:二极管的在交流等效为一个小电阻。
A:对
B:错
正确答案:【对】
5、判断题:所有的二极管正向导通后压降都为0.7V。
A:错
B:对
正确答案:【错】
第三章 单元测试
1、判断题:三极管工作于哪个区域与外加电压的情况有关。
A:对
B:错
正确答案:【对】
2、判断题:测出某三极管的共基电流放大系数
A:对
B:错
正确答案:【错】
3、判断题:a小于1,表明该管子没有放大能力。
A:对
B:错
正确答案:【错】
4、判断题:由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同,所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。
A:错
B:对
正确答案:【对】
5、判断题:只要是硅三极管,无论是NPN还是PNP型,正常工作时,发射结的工作电压vBE都为0.7V左右。
A:错
B:对
正确答案:【错】
第四章 单元测试
1、判断题:三小信号模型是交流下用线性电路代替非线性伏安特性的过程
A:对
B:错
正确答案:【对】
2、判断题:晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻,所以它与静态工作点无关
A:对
B:错
正确答案:【错】
3、判断题:在共射放大电路中,当负载电阻RL减小,电压放大倍数下降
A:对
B:错
正确答案:【对】
4、判断题:在共射放大电路中,当负载电阻RL减小,输出电阻也减小
A:错
B:对
正确答案:【错】
5、判断题:共集放大电路电压放大倍数小于1,所以不能实现功率放大
A:对
B:错
正确答案:【错】
6、判断题:共集放大电路的电压放大倍数接近于1,与负载RL是否接通关系不大
A:对
B:错
正确答案:【对】
7、判断题:常用的稳定静态工作点的方法有直流负反馈法和温度补偿法
A:对
B:错
正确答案:【对】
8、判断题:共基极放大电路不具备电流放大能力
A:错
B:对
正确答案:【对】
第五章 单元测试
1、判断题:场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区
A:对
B:错
正确答案:【对】
2、判断题:N沟道结型场效应管的vGS越负,iD越小,vGS不可为正
A:错
B:对
正确答案:【对】
3、判断题:场效应管是单极型电压控制器件,即使栅极电流为零,也可正常放大
A:错
B:对
正确答案:【对】
4、判断题:场效应管是电压控制器件,iD=gmvGS这是个线性方程,所以它是线性器件
A:对
B:错
正确答案:【错】
5、判断题:结型场效应管和增强型绝缘栅型场效应管的转移特性中都有饱和漏极电流IDSS
A:错
B:对
正确答案:【错】
第六章 单元测试
1、判断题:场效应管的栅极电流几乎等于零,所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大
A:对
B:错
正确答案:【对】
2、判断题:共漏放大电路电压放大倍数总是小于1
A:错
B:对
正确答案:【对】
3、判断题:场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ
A:错
B:对
正确答案:【错】
4、判断题:增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路
A:错
B:对
正确答案:【错】
5、判断题:共源放大电路不具备电压放大能力
A:错
B:对
正确答案:【错】
第七章 单元测试
1、判断题:如果要求各级静态工作点互不影响,可选用阻容耦合方式
A:错
B:对
正确答案:【对】
2、判断题:放大交流信号,只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式
A:对
B:错
正确答案:【错】
3、判断题:在三级放大电路中,已知各级电压增益分别是20dB、25dB、35dB,则三级放大电路总增益为80dB,折合为104倍
A:错
B:对
正确答案:【对】
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