2024知到网课 半导体技术导论智慧树答案

见面课：半导体器件基本结构

1、问题:异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的
A:对
B:错
正确答案:【对】

2、问题:光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小
A:对
B:错
正确答案:【错】

3、问题:MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件
A:对
B:错
正确答案:【错】

4、问题:所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
A:对
B:错
正确答案:【错】

5、问题:平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的
A:对
B:错
正确答案:【对】

6、问题:一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的__达到了14nm量级
A:栅极长度
B:漏极宽度
C:栅极宽度
D:以上都不是
正确答案:【栅极宽度】

7、问题:当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其_的pn结上的电压方向是反向偏置的
A:集电极到发射极
B:集电极到基极
C:基极到发射极
D:以上都不是
正确答案:【集电极到基极】

8、问题:MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来控制 _ 极和 __极之间的导电沟道的通断
A:栅、源、漏
B:漏、源、栅
C:源、漏、栅
D:以上都不是
正确答案:【栅、源、漏】

9、问题:金属和n型半导体接触，如果fmfs，会形成 肖特基 接触；其中 接触具有整流效应。
A:肖特基、欧姆、欧姆
B:欧姆、肖特基、肖特基
C:欧姆、肖特基、欧姆
D:肖特基、欧姆、肖特基
正确答案:【欧姆、肖特基、肖特基】

见面课：半导体物理基本概念

1、问题:AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。保存
A:对
B:错
正确答案:【错】

2、问题:半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法
A:对
B:错
正确答案:【错】

3、问题:PMOS的基底是p型半导体，所以叫PMOS。
A:对
B:错
正确答案:【错】

4、问题:半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。
A:对
B:错
正确答案:【对】

5、问题:硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。
A:对
B:错
正确答案:【错】

6、问题:GaAs晶体是_结构
A:金刚石
B:闪锌矿
C:体心
D:面心
正确答案:【闪锌矿】

7、问题:有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5Å，带隙是1.2eV，B的晶格常数是4Å，其带隙有可能是_____eV
A:1.4
B:1.0
C:1.2
D:以上都不可能
正确答案:【1.4】

8、问题:如下图所示的能带结构，代表的是＿＿＿半导体＿＿＿＿＿＿＿＿EC――――――――EF ＿＿＿＿＿＿＿＿EV
A:n型
B:p型
C:本征
D:以上都不是
正确答案:【n型】

第一章 单元测试

1、判断题：现代电子器件大多是基于半导体材料制备的？
A:错
B:对
正确答案:【对】

第二章 单元测试

1、判断题：p型硅掺杂IV族元素，n型硅掺杂III族元素。
A:对
B:错
正确答案:【错】

2、判断题：半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。
A:对
B:错
正确答案:【对】

3、判断题：以能带隙种类区分，硅属于直接能带隙半导体。
A:对
B:错
正确答案:【对】

4、单选题：以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型？
A:非晶体
B:多晶体
C:单晶体
D:结晶体
正确答案:【结晶体】

5、判断题：从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。
A:对
B:错
正确答案:【错】

6、判断题：半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。
A:对
B:错
正确答案:【对】

7、判断题：在半导体中的空穴流动就是电子流动。
A:对
B:错
正确答案:【错】

8、判断题：通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
A:错
B:对
正确答案:【错】

9、单选题：温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
A:0
B:1/2
C:1/4
D:1
正确答案:【1/2】

10、判断题：通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。
A:错
B:对
正确答案:【对】

第三章 单元测试

1、判断题：通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。
A:错
B:对
正确答案:【错】

2、判断题：pn结加反偏压时，总电流为0。
A:对
B:错
正确答案:【错】

3、判断题：平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。
A:错
B:对
正确答案:【错】

4、判断题：金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
A:对
B:错
正确答案:【错】

5、判断题：欧姆接触也称为整流接触。
A:对
B:错
正确答案:【错】

6、判断题：通常，超晶格结构是基于异质结设计的。
A:错
B:对
正确答案:【对】

7、判断题：n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。
A:错
B:对
正确答案:【错】

8、判断题：MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
A:对
B:错
正确答案:【错】

9、判断题：MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
A:错
B:对
正确答案:【错】

10、判断题：BJT可用于恒定电流源的设计。
A:错
B:对
正确答案:【对】

第四章 单元测试

1、判断题：太阳能电池可以吸收太阳光的所有能量。
A:错
B:对
正确答案:【错】

2、判断题：VOC是指短路电压。
A:对
B:错
正确答案:【错】

3、判断题：太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。
A:对
B:错
正确答案:【对】

4、单选题：以下几种太阳能电池中，效率最高的是（）？
A:钙钛矿太阳能电池
B:有机物太阳能电池
C:GaAs太阳能电池
D:硅基太阳能电池
正确答案:【GaAs太阳能电池】

5、单选题：半导体光探测器本质是一个pn结，这类器件工作在pn结电流电压特性曲线的第（）象限？
A:IV
B:III
C:II
D:I
正确答案:【III】

6、判断题：对于同种半导体材料，通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。
A:对
B:错
正确答案:【错】

7、判断题：光探测器设计的标准是：半导体材料的禁带宽度只要高于被探测光能量即可。
A:对
B:错
正确答案:【错】

8、单选题：以下哪种LED量产最晚？
A:红光LED
B:蓝光LED
C:绿光LED
D:白光LED
正确答案:【蓝光LED】

9、判断题：LED的寿命通常比白炽灯长。
A:对
B:错
正确答案:【对】

10、判断题：半导体激光器中没有谐振腔结构。
A:错
B:对
正确答案:【错】

第五章 单元测试

1、判断题：摩尔定律是指集成电路的集成度每12个月提升一倍。
A:错
B:对
正确答案:【错】

2、判断题：早期的半导体公司大多成立于美国的硅谷。
A:错
B:对
正确答案:【对】

3、判断题：目前半导体产业分工越来越细，主要是由于技术越来越复杂，产品需求量越来越大。
A:对
B:错
正确答案:【对】

4、判断题：半导体代工厂中主要进行集成电路设计。
A:错
B:对
正确答案:【错】

5、判断题：半导体产业涉及的知识领域主要是物理学和材料学，与化学无关。
A:对
B:错
正确答案:【错】

6、单选题：目前量产的半导体器件节点尺寸是（）？
A:18nm
B:5nm
C:7nm
D:10nm
正确答案:【7nm】

7、单选题：以下半导体产线上最昂贵的设备是（）？
A:晶片清洗机
B:封装机
C:曝光显影机
D:CVD镀膜机
正确答案:【曝光显影机 】

8、判断题：在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备。
A:错
B:对
正确答案:【对】

9、判断题：逻辑电路的基本元件是MOS管。
A:错
B:对
正确答案:【对】

10、判断题：集成电路中只能制造二极管和三极管，而无法制造电阻。
A:对
B:错
正确答案:【错】

第六章 单元测试

1、判断题：