第一章 单元测试
1、单选题：本征硅的费米能级位于：（）
A:
B:略偏向
C:略偏向
D:
正确答案:【略偏向
】
2、单选题：硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（）
A:空穴浓度大于电子浓度
B:电子浓度大于空穴浓度
C:硅的晶体结构将发生改变
D:与磷掺杂硅的导电类型一致
正确答案:【空穴浓度大于电子浓度
】
3、多选题：抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（）。
A:降低离子注入能量
B:衬底表面沉积非晶薄膜
C:升高衬底温度
D:倾斜衬底
正确答案:【衬底表面沉积非晶薄膜
;升高衬底温度
;倾斜衬底
】
4、多选题：制造单晶硅衬底的方法包括（）。
A:直拉法
B:外延生长法
C:区域熔融法
D:氧化还原法
正确答案:【直拉法
;区域熔融法
】
5、判断题：当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。（）
A:错
B:对
正确答案:【对】
第二章 单元测试
1、多选题：对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（）。
A:Vg继续增加，Id不会继续增大
B:沟道中漏极一侧的电位为0
C:
D:Vg≥Vd+Vth
正确答案:【Vg继续增加，Id不会继续增大
;沟道中漏极一侧的电位为0
;Vg≥Vd+Vth
】
2、多选题：沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（）。
A:阈值电压增大
B:器件的集成度增加
C:器件的漏极电流增大
D:器件的可靠性劣化
正确答案:【器件的集成度增加
;器件的漏极电流增大
;器件的可靠性劣化
】
3、单选题：有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（）
A:
B:温度升高，亚阈值摆幅增大
C:亚阈值摆幅的单位是mV
D:
正确答案:【亚阈值摆幅的单位是mV
】
4、单选题：有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（）
A:仅与器件的结构参数有关
B:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
C:与器件的沟道长度呈正比
D:栅氧化层介电常数越厚，特征长度越小
正确答案:【沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
】
5、判断题：MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。（）
A:对
B:错
正确答案:【对】
第三章 单元测试
1、多选题：下面有关浸没式光刻技术的说法，正确的是（）
A:能够增大物镜的数值孔径
B:由台积电的工程师林本坚发明
C:在目镜和衬底间填充水
D:能够减小光的波长
正确答案:【能够增大物镜的数值孔径
;由台积电的工程师林本坚发明
;能够减小光的波长
】
2、多选题：相移光刻技术中，使光产生相位差的方法包括：（）
A:在掩膜板上的透光区域中添加移相器
B:减小未沉积铬区域的石英板厚度
C:利用整面透光的石英板，改变局部区域的厚度
D:改变石英掩膜板的倾斜角
正确答案:【在掩膜板上的透光区域中添加移相器
;减小未沉积铬区域的石英板厚度
;利用整面透光的石英板，改变局部区域的厚度
】
3、单选题：根据瑞利判据得到的光刻分辨率极限，表达式为（）
A:
B:
C:
D:
正确答案:【
】
4、单选题：正光刻胶和负光刻胶中，光敏剂的作用分别是（）
A:交联催化剂，交联催化剂
B:交联催化剂，提供自由基
C:提供自由基，提供自由基
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